**Abbildung 6**: (Fertige Schaltung des einstufigen gleichstromgegengekoppelten Transistorverstärkers)
**Abbildung 6**: (Schaltung des einstufigen gleichstromgegengekoppelten Transistorverstärkers)
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Die Trennung durch die Kondensatoren filtert vorliegende Gleichsspannungen aus und entfertn auch den *offset* der sich durch die Wahl des Arbeitspunktes ergibt.
Die Trennung durch die Kondensatoren filtert vorhandene Gleichsspannungen aus und entfernt so auch den *offset* der sich durch die Wahl des Arbeitspunktes ergibt.
### Verstärkung der Transistorschaltung
Zur Herleitung der Spannungsverstärkung $v_{U}$ der Transistorschaltung (ohne $C_{\mathrm{E}}$) aus **Abbildung 6** verwenden wir ein einfaches Modell zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens der Schaltung ([Kleinsignal-Ersatzschaltbild](https://de.wikipedia.org/wiki/Kleinsignal-Ersatzschaltbild)). Dabei legen wir alle Potentialquellen auf Masse und tauschen alle nichtlinearen Bauelemente, wie Transistoren und Dioden, durch lineare Ersatzschaltungen aus. Ein Transistor wird beispielsweise durch seine Innenwiderstände $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{C}$ charakterisiert. Das resultierende Ersatzschaltbild ist in **Abbildung 7** gezeigt:
Zur Herleitung der Spannungsverstärkung $v_{U}$ der Transistorschaltung (ohne $C_{\mathrm{E}}$) aus **Abbildung 6** verwenden wir ein einfaches Modell zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens der Schaltung ([Kleinsignal-Ersatzschaltbild](https://de.wikipedia.org/wiki/Kleinsignal-Ersatzschaltbild)). Dabei legen wir alle Potentialquellen auf Masse und tauschen alle nichtlinearen Bauelemente, wie Transistoren und Dioden, durch lineare Ersatzschaltungen aus. Ein Transistor wird beispielsweise durch seine Innenwiderstände $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{C}$ charakterisiert. Das resultierende Ersatzschaltbild des mit $R_{\mathrm{E}}$ und $R_{\mathrm{C}}$ beschalteten Transistors ist in **Abbildung 7** gezeigt:
