diff --git a/Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md b/Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md index ee2b596caa7c150f82833457df6e589e2a35a757..273808f2199cc66678b9b17f04e355d977b5216d 100644 --- a/Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md +++ b/Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md @@ -123,15 +123,15 @@ Im letzten Schritt empfieht es sich sowohl das Ein- als auch das Ausgangspotenti <img src="../figures/Emitterschaltung-D.png" width="600" style="zoom:100%;"/> -**Abbildung 6**: (Fertige Schaltung des einstufigen gleichstromgegengekoppelten Transistorverstärkers) +**Abbildung 6**: (Schaltung des einstufigen gleichstromgegengekoppelten Transistorverstärkers) --- -Die Trennung durch die Kondensatoren filtert vorliegende Gleichsspannungen aus und entfertn auch den *offset* der sich durch die Wahl des Arbeitspunktes ergibt. +Die Trennung durch die Kondensatoren filtert vorhandene Gleichsspannungen aus und entfernt so auch den *offset* der sich durch die Wahl des Arbeitspunktes ergibt. ### Verstärkung der Transistorschaltung -Zur Herleitung der Spannungsverstärkung $v_{U}$ der Transistorschaltung (ohne $C_{\mathrm{E}}$) aus **Abbildung 6** verwenden wir ein einfaches Modell zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens der Schaltung ([Kleinsignal-Ersatzschaltbild](https://de.wikipedia.org/wiki/Kleinsignal-Ersatzschaltbild)). Dabei legen wir alle Potentialquellen auf Masse und tauschen alle nichtlinearen Bauelemente, wie Transistoren und Dioden, durch lineare Ersatzschaltungen aus. Ein Transistor wird beispielsweise durch seine Innenwiderstände $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{C}$ charakterisiert. Das resultierende Ersatzschaltbild ist in **Abbildung 7** gezeigt: +Zur Herleitung der Spannungsverstärkung $v_{U}$ der Transistorschaltung (ohne $C_{\mathrm{E}}$) aus **Abbildung 6** verwenden wir ein einfaches Modell zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens der Schaltung ([Kleinsignal-Ersatzschaltbild](https://de.wikipedia.org/wiki/Kleinsignal-Ersatzschaltbild)). Dabei legen wir alle Potentialquellen auf Masse und tauschen alle nichtlinearen Bauelemente, wie Transistoren und Dioden, durch lineare Ersatzschaltungen aus. Ein Transistor wird beispielsweise durch seine Innenwiderstände $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{C}$ charakterisiert. Das resultierende Ersatzschaltbild des mit $R_{\mathrm{E}}$ und $R_{\mathrm{C}}$ beschalteten Transistors ist in **Abbildung 7** gezeigt: <img src="../figures/TransistorErsatzschaltung.png" width="400" style="zoom:100%;"/>