From f5e9953f115772360b3c11c52bfbfbfa81751162 Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Roger Wolf <roger.wolf@kit.edu>
Date: Thu, 23 May 2024 12:00:53 +0200
Subject: [PATCH] KaTex fixes

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 Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md | 6 +++---
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@@ -123,15 +123,15 @@ Im letzten Schritt empfieht es sich sowohl das Ein- als auch das Ausgangspotenti
 
 <img src="../figures/Emitterschaltung-D.png" width="600" style="zoom:100%;"/>
 
-**Abbildung 6**: (Fertige Schaltung des einstufigen gleichstromgegengekoppelten Transistorverstärkers)
+**Abbildung 6**: (Schaltung des einstufigen gleichstromgegengekoppelten Transistorverstärkers)
 
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-Die Trennung durch die Kondensatoren filtert vorliegende Gleichsspannungen aus und entfertn auch den *offset* der sich durch die Wahl des Arbeitspunktes ergibt.
+Die Trennung durch die Kondensatoren filtert vorhandene Gleichsspannungen aus und entfernt so auch den *offset* der sich durch die Wahl des Arbeitspunktes ergibt.
 
 ### Verstärkung der Transistorschaltung
 
-Zur Herleitung der Spannungsverstärkung $v_{U}$ der Transistorschaltung (ohne $C_{\mathrm{E}}$) aus **Abbildung 6** verwenden wir ein einfaches Modell zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens der Schaltung ([Kleinsignal-Ersatzschaltbild](https://de.wikipedia.org/wiki/Kleinsignal-Ersatzschaltbild)). Dabei legen wir alle Potentialquellen auf Masse und tauschen alle nichtlinearen Bauelemente, wie Transistoren und Dioden, durch lineare Ersatzschaltungen aus. Ein Transistor wird beispielsweise durch seine Innenwiderstände $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{C}$ charakterisiert. Das resultierende Ersatzschaltbild ist in **Abbildung 7** gezeigt:
+Zur Herleitung der Spannungsverstärkung $v_{U}$ der Transistorschaltung (ohne $C_{\mathrm{E}}$) aus **Abbildung 6** verwenden wir ein einfaches Modell zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens der Schaltung ([Kleinsignal-Ersatzschaltbild](https://de.wikipedia.org/wiki/Kleinsignal-Ersatzschaltbild)). Dabei legen wir alle Potentialquellen auf Masse und tauschen alle nichtlinearen Bauelemente, wie Transistoren und Dioden, durch lineare Ersatzschaltungen aus. Ein Transistor wird beispielsweise durch seine Innenwiderstände $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{C}$ charakterisiert. Das resultierende Ersatzschaltbild des mit $R_{\mathrm{E}}$ und $R_{\mathrm{C}}$ beschalteten Transistors ist in **Abbildung 7** gezeigt:
 
 <img src="../figures/TransistorErsatzschaltung.png" width="400" style="zoom:100%;"/>
 
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