@@ -35,21 +35,21 @@ Wir unterscheiden den BE- vom EC-Stromkreis. Am BE-Stromkreis hat der Transistor
- Zum einen werden Defektelektronen aus B in E injiziert. Der dadurch entstehende Strom ist allerdings sehr gering und nimmt mit der [Diffusionslänge](https://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diffusionslänge&action=edit&redlink=1) der Defektelektronen ab. Die Defektelektronen rekombinieren daraufhin mit Elektronen in E.
- Zum anderen werden Elektronen aus E in B injiziert.
Da E höher als B dotiert ist, überwiegt der Elektronenstrom von E nach B. Aufgrund der geringen Ausdehnung von B — die kleiner als die Diffusionslänge der Ladungsträger zu wählen ist — rekombinieren nur wenige der Elektronen mit den Defektelektronen in B. Mehr als 90% der Elektronen diffundieren durch B in die BC-Sperrschicht, wo sie wegen des großen Potentialabfalls zwischen B und C weiter nach C [driften](https://de.wikipedia.org/wiki/Driftgeschwindigkeit). In Form von $I_{\mathrm{C}}$ fließen auf diese Weise Elektronen von E nach C, wobei $I_{\mathrm{C}}$ durch geringe Ströme $I_{\mathrm{B}}$ gesteuert werden kann. Das Verhältnis
Da E höher als B dotiert ist, überwiegt der Elektronenstrom von E nach B. Aufgrund der geringen Ausdehnung von B — die kleiner als die Diffusionslänge der Ladungsträger zu wählen ist — rekombinieren nur wenige der Elektronen mit den Defektelektronen in B. Mehr als 90% der Elektronen diffundieren durch B in die Sperrschicht der BC-Diode, wo sie wegen des großen Potentialabfalls zwischen B und C weiter nach C [driften](https://de.wikipedia.org/wiki/Driftgeschwindigkeit). In Form von $I_{\mathrm{C}}$ fließen auf diese Weise Elektronen von E nach C, wobei $I_{\mathrm{C}}$ durch geringe Ströme $I_{\mathrm{B}}$ gesteuert werden kann. Das Verhältnis
$$
\begin{equation*}
\begin{equation}
\beta=\frac{I_{\mathrm{C}}}{I_{\mathrm{B}}},
\end{equation*}
\end{equation}
$$
das man als statischen [Stromverstärkungsfaktor](https://de.wikipedia.org/wiki/Mathematische_Beschreibung_des_Bipolartransistors#Stromverst%C3%A4rkungsfaktor) bezeichnet, ist transitorspezifisch und hängt vom Transistortyp, $|I_{\mathrm{C}}|$ und, wie im Folgenden diskutiert, von der Temperatur ab. Es kann Werte zwischen 4 und 1000 annehmen.
das man als statischen [Stromverstärkungsfaktor](https://de.wikipedia.org/wiki/Mathematische_Beschreibung_des_Bipolartransistors#Stromverst%C3%A4rkungsfaktor) bezeichnet, hängt vom Transistortyp, $|I_{\mathrm{C}}|$ und, wie im Folgenden diskutiert, von der Temperatur ab. Es kann Werte zwischen 4 und 1000 annehmen.
Der Name **Transistor** geht auf den englischen Begriff *transfer resistor* zurück, der die Eigenschaft des Transistors als von außen steuerbarem, elektrischem (Innen-)Widerstand $r_{\mathrm{EC}}$ im EC-Stromkreis charakterisiert:
Der Name **Transistor** geht auf den englischen Begriff *transfer resistor* zurück, der die Eigenschaft des Transistors als von außen steuerbarem, elektrischem (Innen-)Widerstand $r_{\mathrm{E}}$ im EC-Stromkreis charakterisiert:
- Für $U_{\mathrm{BE}}\lesssim U_{D}$ befindet sich der Transistor im EC-Stromkreis im Sperrbetrieb, d.h. $r_{\mathrm{EC}}\gg 0$.
- Für $U_{\mathrm{BE}}\gtrsim U_{D}$ befindet sich der Transistor im EC-Stromkreis im Sättigungssbetrieb, d.h. $r_{\mathrm{EC}}\approx 0$.
- Für $U_{\mathrm{BE}}\approx U_{D}$ hängt $r_{\mathrm{EC}}$ stark von $I_{B}$ und damit von $U_{\mathrm{BE}}$ ab.
- Für $U_{\mathrm{BE}}\lesssim U_{D}$ befindet sich der Transistor im EC-Stromkreis im Sperrbetrieb, d.h. $r_{\mathrm{E}}\gg 0$.
- Für $U_{\mathrm{BE}}\gtrsim U_{D}$ befindet sich der Transistor im EC-Stromkreis im Sättigungssbetrieb, d.h. $r_{\mathrm{E}}\approx 0$.
- Für $U_{\mathrm{BE}}\approx U_{D}$ hängt $r_{\mathrm{E}}$ stark von $I_{B}$ und damit von $U_{\mathrm{BE}}$ ab.
Ein optimaler Arbeitspunkt für den Betrieb ist für ein Eingangssignal erreicht, für das $r_{\mathrm{EC}}$ die Hälfte des Maximalwerts annimmt. In diesem Fall ist $r_{\mathrm{EC}}=R_{\mathrm{C}}$. Im BE-Stromkreis gilt immer $r_{\mathrm{BE}}\approx 0$. Der npn-Transistor kann nur Spannungen von $U_{\mathrm{EB}}\gtrsim U_{D}$ verstärken.
Ein optimaler Arbeitspunkt für den Betrieb ist für ein Eingangssignal erreicht, für das $r_{\mathrm{E}}$ die Hälfte des Maximalwerts annimmt. In diesem Fall ist $r_{\mathrm{E}}=R_{\mathrm{C}}$. Im BE-Stromkreis gilt immer $r_{\mathrm{BE}}\approx 0$ (die BE-Diode wird in Durchlassrichtung betrieben). **Der npn-Transistor kann nur Spannungen von $U_{\mathrm{EB}}\gtrsim U_{D}$ verstärken.**
