diff --git a/Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md b/Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md
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@@ -55,7 +55,7 @@ Ein optimaler Arbeitspunkt für den Betrieb ist für ein Eingangssignal erreicht
 
 #### Problembeschreibung
 
-Der Halbleitertransistor gehört zu den sog. [Heißleitern](https://de.wikipedia.org/wiki/Hei%C3%9Fleiter), deren ohmscher Widerstand mit zunehmender Temperatur nicht zu-, sondern abnimmt. Der Stromfluss $I_{\mathrm{C}}$ führt zur Erwärmung des Transistors und damit zu sinkenden Widerständen $r_{\mathrm{BE}}$ und $r_{\mathrm{EC}}$. Bei gleicher Basisspannung $U_{\mathrm{BE}}$ und einer Temperaturerhöhung um $10^{\circ}\mathrm{C}$ nimmt $I_{\mathrm{B}}$ durchschnittlich um den Faktor 2 zu. Eine Erhöhung von $I_{\mathrm{B}}$ führt wiederum zu einer Erhöhung von $I_{\mathrm{C}}$. Der Stromverstärkungsfaktor $\beta$ und der Arbeitspunkt für den Transistor hängen also, z.T. stark von der Betriebstemperatur des Transistors ab. Zu starke Erwärmung kann sogar zur Zerstörung des Transistors führen. Es erweist sich daher als notwendig $\beta$ kontrolliert zu drosseln. Dies erfolgt am sichersten mit Hilfe der **stromgegengekoppelten Emitterschaltung**. 
+Der Halbleitertransistor gehört zu den sog. [Heißleitern](https://de.wikipedia.org/wiki/Hei%C3%9Fleiter), deren ohmscher Widerstand mit zunehmender Temperatur nicht zu-, sondern abnimmt. Der Stromfluss $I_{\mathrm{C}}$ führt zur Erwärmung des Transistors und damit zu sinkenden Widerständen $r_{\mathrm{B}}$ und $r_{\mathrm{E}}$. Bei gleicher Basisspannung $U_{\mathrm{BE}}$ und einer Temperaturerhöhung um $10^{\circ}\mathrm{C}$ nimmt $I_{\mathrm{B}}$ durchschnittlich um den Faktor 2 zu. Eine Erhöhung von $I_{\mathrm{B}}$ führt wiederum zu einer Erhöhung von $I_{\mathrm{C}}$, wodurch die Temperatur weiter ansteigt. Der Stromverstärkungsfaktor $\beta$ und der Arbeitspunkt für den Transistor hängen also, z.T. stark von der Betriebstemperatur des Transistors ab. Zu starke Erwärmung kann sogar zur Zerstörung des Transistors führen. Es erweist sich daher als notwendig $\beta$ kontrolliert zu drosseln. Dies erfolgt am sichersten mit Hilfe der **stromgegengekoppelten Emitterschaltung**. 
 
 #### Stabilisierung von $U_{E}$ und Wahl des Arbeitspunkts durch Spannungsteilung
 
@@ -67,7 +67,7 @@ Der erste Schritt zum Aufbau der Schaltung besteht darin $U_{E}=U_{\mathrm{BE}}$
 
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-In der Schaltung wird VCC mit B gekoppelt, die Widerstände $R_{1}$ und $R_{2}$ realisieren einen Spannungsteiler. Zwischen $R_{1}$ und $R_{2}$ teilt sich der Strom $I$ in $I_{\mathrm{B}}$ und den Querstrom $I_{q}$ auf. Wählt man $R_{2}\ll r_{\mathrm{BE}}$ so, dass $I_{\mathrm{B}}\ll I_{q}$ kann der Spannungsteiler in guter Näherung als unbelastet angenommen werden, d.h. es gilt 
+In der Schaltung wird VCC mit B gekoppelt, die Widerstände $R_{1}$ und $R_{2}$ realisieren einen [Spannungsteiler](https://de.wikipedia.org/wiki/Spannungsteiler). Zwischen $R_{1}$ und $R_{2}$ teilt sich der Strom $I$ in $I_{\mathrm{B}}$ und den Querstrom $I_{q}$ auf. Wählt man $R_{2}\ll r_{\mathrm{B}}$ so, dass $I_{\mathrm{B}}\ll I_{q}$ kann der Spannungsteiler in guter Näherung als unbelastet angenommen werden, d.h. es gilt 
 $$
 \begin{equation*}
 U_{E}\approx U_{R_{1}}(=I_{q}R_{1}),
@@ -75,7 +75,7 @@ U_{E}\approx U_{R_{1}}(=I_{q}R_{1}),
 $$
 d.h. durch diese Maßnahme wird $U_{E}$ stabilisiert. 
 
-Zudem kann $U_{E}(\gtrsim U_{D})$ durch die Wahl von $R_{1}$ und $R_{2}$ auf den gewünschten Arbeitspunkt geregelt werden, was sich v.a. bei bipolaren Signalen empfiehlt, da der Transistor Signale kleiner als $U_{D}$ nicht verstärkt, sondern wie eine Diode gleichrichtet. Es empfiehlt sich also dem Eingangssignal einen solchen *offset* zu geben, dass das Ausgangssignal weder nach unten noch nach oben beschnitten wird oder in die Sättigung des Transistors gerät. Dies ist für $r_{\mathrm{EC}}=R_{\mathrm{C}}$ der Fall (s.o.).   
+Zudem kann $U_{E}(\gtrsim U_{D})$ durch die Wahl von $R_{1}$ und $R_{2}$ auf den gewünschten **Arbeitspunkt** geregelt werden, was sich v.a. bei bipolaren Signalen empfiehlt, da der Transistor Signale kleiner als $U_{D}$ nicht verstärkt, sondern wie eine Diode gleichrichtet. Es empfiehlt sich also dem Eingangssignal einen geeigneten *offset* zu geben, so dass das Ausgangssignal weder nach unten noch nach oben beschnitten wird oder in die Sättigung des Transistors gerät. Dies ist für $r_{\mathrm{C}}=R_{\mathrm{C}}$ der Fall.   
 
 #### (Gleich-)Stromgegenkopplung