From 27cd8d0ee9b27306ebb067155863e098e4ecf38f Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Roger Wolf <roger.wolf@kit.edu>
Date: Thu, 23 May 2024 11:37:59 +0200
Subject: [PATCH] KaTex fixes

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 Operationsverstaerker/doc/Hinweise-Verstaerker.md | 2 +-
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@@ -30,7 +30,7 @@ Am Transistor befinden sich, wie beim Röhrenverstärker, drei Anschlüsse: der
 
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-Wir unterscheiden den BE- vom EC-Stromkreis. Am BE-Stromkreis hat der Transistor den Innenwiderstand $r_{\mathrm{BE}}$, am EC-Stromkreis den Innenwiderstand $r_{\mathrm{EC}}$. Liegt zwischen E und C eine Spannung $U_{A}>0$ an wird die BE-[Sperrschicht](https://de.wikipedia.org/wiki/Raumladungszone) zwar verringert, die BC-Sperrschicht jedoch zur gleichen Zeit vergrößert. Zwischen E und C fließt nur ein geringer Kollektorstrom $I_{\mathrm{C}}$, äquivalent zum [Sperrstrom](https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrstrom) der BC-Diode. In der BC-Sperrschicht wirkt im Gleichgewichtszustand die materialspezifische [Diffusionsspannung](https://de.wikipedia.org/wiki/Diffusionsspannung) $U_{D}$ intrinsisch der Diffusion von Elektronen und Defektelektronen entgegen. Diese beträgt für Silizium $U_{D}\approx0.7\ \mathrm{V}$. Legt man an den BE-Stromkreises eine Spannung $(U_{E}=)U_{\mathrm{BE}}\gtrsim U_{D}$ an, dann wird die BE-Diode leitend. Wie bei der einfachen pn-Halbleiterdiode basiert die Leitung auf zwei Effekten: 
+Wir unterscheiden den BE- vom EC-Stromkreis. Am BE-Stromkreis hat der Transistor den Innenwiderstand $r_{\mathrm{B}}$, am EC-Stromkreis den Innenwiderstand $r_{\mathrm{C}}$. Liegt zwischen E und C eine Spannung $U_{A}\gt 0$ an wird die [Sperrschicht](https://de.wikipedia.org/wiki/Raumladungszone) der BE-Diode zwar verringert, die Sperrschicht der BC-Diode jedoch zur gleichen Zeit vergrößert. Zwischen E und C fließt nur ein geringer Kollektorstrom $I_{\mathrm{C}}$, äquivalent zum [Sperrstrom](https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrstrom) der BC-Diode. In der Sperrschicht der BC-Diode wirkt im Gleichgewichtszustand die materialspezifische [Diffusionsspannung](https://de.wikipedia.org/wiki/Diffusionsspannung) $U_{D}$ intrinsisch der Diffusion von Elektronen und Defektelektronen entgegen. Diese beträgt für Silizium $U_{D}\approx0.7\ \mathrm{V}$. Legt man an den BE-Stromkreises eine Spannung $(U_{E}=)U_{\mathrm{BE}}\gtrsim U_{D}$ an, dann wird die BE-Diode leitend. Wie bei der einfachen pn-Halbleiterdiode basiert die Leitung auf zwei Effekten: 
 
 - Zum einen werden Defektelektronen aus B in E injiziert. Der dadurch entstehende Strom ist allerdings sehr gering und nimmt mit der [Diffusionslänge](https://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Diffusionslänge&action=edit&redlink=1) der Defektelektronen ab. Die Defektelektronen rekombinieren daraufhin mit Elektronen in E. 
 - Zum anderen werden Elektronen aus E in B injiziert. 
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